IR红外: Infrared
自然界中一切温度高于绝对零度（-273.15°C）的物体都能辐射红外能量，温度越高辐射能力越强，红外辐射的物理本质是热辐射，是介于微波与可见光之间的电磁波。
红外热成像 Thermal Imaging
运用光电转换技术将该不可见的红外热辐射信号转换成可肉眼可见的红外热图像，并可以进一步计算出温度数据。 红外热成像技术使人类超越了视觉障碍 ，由此人们可以“看到”物体表面的热量分布状况。
a-Si非晶硅: Amorphous Silicon
非制冷红外焦平面探测器的敏感薄膜材料。其优点是与标准硅工艺完全兼容，制备过程相对简单。但由于多晶硅是无定形结构，噪声较高，所以灵敏度通常不是特别好。
VOx 氧化钒：Vanadium Oxide
非制冷红外焦平面探测器的主流敏感薄膜材料。其制备技术经过多年的发展已很成熟，氧化钒材料具有较高的TCR,灵敏度显著优于其他敏感材料的非制冷红外探测器。在红外热成像技术商用领域中得到了广泛的应用。
MCT碲镉汞: Mercury Cadmium Tellium
当下制冷红外焦平面探测器的主流材料之一。碲镉汞是一种主要由离子键结合的三元半导体材料，碲和镉、碲和汞之间通过离子键的方式连接，量子效率高，响应波段连续可调，产品灵敏度高，响应速度快，主要应用于中波和短波制冷红外探测器。
T2SL二类超晶格: Type Ⅱ Superlattice
最前沿的制冷红外焦平面探测器材料之一。二类超晶格（T2SL）红外探测器基于Ⅲ-Ⅴ族材料生长方式，采用先进的MBE薄膜材料生长系统进行材料生长，衬底采用晶格匹配的GaSb/GaAs衬底，生长出均匀性好的T2SL红外探测器材料。产品工作温度更高，响应波段更宽，制作成本更低，适合制作大面阵器件，主要应用于长波和双色制冷红外探测器。
QWIP量子阱红外探测器: Quantum Well Infrared Photodetector
量子阱红外探测器具有更好的均匀性，并且很容易制造出大阵面红外探测器。此外，量子阱红外探测器的无光谱串扰性，在甚长波红外探测和多色探测等领域有着特有的优势，很好地符合第三代红外探测器对大面阵、多色（波段）探测、低成本的要求。
QDIP量子点红外探测器: Quantum Dot Infrared Photodetector
量子点红外探测器从结构和原理上都类似于量子阱红外探测器，只是量子阱被量子点取代，在全部空间方向上都有尺寸的限制。量子点有利于响应率和增益的提高，另外，QDIP的暗电流低，可以达到更高的工作温度、高的响应率和探测率。
SWIR短波红外: Short - Wave Infrared
短波红外一般定义为0.9－1.7μm波长范围内的光线，但也可归入0.7－2.5μm波长范围。短波红外与中长波红外在原理上具有明显的差异，它利用反射光成像，而不是热成像。SWIR可以透过水蒸气、雾和硅等特定材料。在可见光环境下近乎相同的颜色，使用SWIR可轻松区分。短波红外图像与可见光图像的结合也成为现在微光夜视系统最常用的手段。
MWIR中波红外:Mid - Wave Infrared
中波红外主要是探测目标物体自身辐射的红外光谱（3~5μm），天空辐射中的中波部分主要来自于太阳光散射，受目标物性、应用场景等多因素影响。中波红外探测器以InSb锑化铟、MCT碲镉汞探测器为主，在雨天、雾天等湿度大的气候条件下穿透性尤其强，可观测高温或常温物体，更适用于低空背景探测。
LWIR长波红外: Long - Wave Infrared
主要是探测的目标物体自身辐射的红外光谱（8~14μm），天空辐射中的长波部分主要来自于大气热辐射。长波红外在沙尘条件下穿透距离较其他波段更长，更适用于湿度较低的干燥环境，对大多数陆地目标具有极佳的可见性，更适宜用于高空背景探测。
Dual-color IR双色红外
热成像系统同时探测两个红外波段的目标辐射，是红外探测器发展的重要方向之一。双色红外探测器显著提高了目标探测准确率，大幅拓展了搜索探测范围，明显提升高速运动目标的识别能力。
